Microchip TC1550 P-Kanal, N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 500 V Erweiterung / 350 mA, 8-Pin 8-poliger SOIC (TG)

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RS Best.-Nr.:
598-873
Herst. Teile-Nr.:
TC1550TG-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

P-Kanal, N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

8-poliger SOIC (TG)

Serie

TC1550

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.9 mm

Höhe

1.75mm

Länge

4.90mm

Normen/Zulassungen

RoHS Certificate of Compliance

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Der Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET von Microchip in einem 8-adrigen SOIC-Gehäuse ist ein Verstärkungsmodus-Transistor (normalerweise ausgeschaltet), der eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate von Supertex nutzt. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die typisch für MOS-Geräte sind. Wie bei allen MOS-Strukturen ist dieses Gerät immun gegen thermische Flucht und thermisch induzierte Sekundärstörungen, was eine zuverlässige Leistung gewährleistet.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

Frei von sekundären Störungen

Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage

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