Microchip Zwei Paare von N- und P-Kanal TC8220 P-Kanal, N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 200 V Erweiterung / 2.3 A,

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RS Best.-Nr.:
598-776
Herst. Teile-Nr.:
TC8220K6-G
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

P-Kanal, N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET-Arrays

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

DFN

Serie

TC8220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Zwei Paare von N- und P-Kanal

Länge

4mm

Normen/Zulassungen

RoHS Certificate of Compliance

Breite

4 mm

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Die Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs mit niedriger Schwelle von Microchip in einem 12-adrigen DFN-Gehäuse verfügen über integrierte Gate-to-Source-Widerstände und Gate-to-Source-Zener-Dioden-Klemmen, ideal für Hochspannungs-Impulsanwendungen. Diese komplementären Hochgeschwindigkeits-Hochspannungs-N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar mit Gate-Klemmen nutzen eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur zusammen mit dem bewährten Fertigungsprozess von Supertex mit Silizium-Gate. Diese Kombination bietet die Leistungsummantelungsfunktionen von bipolaren Transistoren und bietet gleichzeitig die hohe Eingangsimpedanz und den positiven Temperaturkoeffizienten, die typisch für MOS-Geräte sind.

Integrierter Gate-zu-Quelle-Widerstand

Integrierte Gate-zu-Quelle-Zener-Diode

Niedriger Schwellenwert, niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Geringe Eingangs- und Ausgangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeiten

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