Infineon Doppelt OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 2.3 A 0.6 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 214-4334
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,194 € | 582,00 € |
| 6000 + | 0,185 € | 555,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4334
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET-Arrays | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 57mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.6W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.6mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Länge | 2.9mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET-Arrays | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 57mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.6W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.6mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Länge 2.9mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET-Arrays der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL308CH6327XTSA1
Merkmale und Vorteile:
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 2,3 A ermöglicht eine moderate Belastbarkeit
• Maximum Vds 30 V unterstützt 30-V-Systemarchitekturen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V schützt die Gate-Integrität bei Transienten
• Die Durchlassspannung von 1,1 V verbessert die Effizienz in Diodenleitpfaden
• Ausgelegt für 150 °C ermöglicht zuverlässigen Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen
Anwendungsbereich
• Ideal für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern mit hoher Dichte
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Fahrzeugen und Geräten
• Kann für das Schalten von Motortreibern auf der Low-Side- oder High-Side-Seite verwendet werden
• Geeignet für die kompakte Stromverteilung auf oberflächenmontierten Leiterplatten
Welche Befestigungsart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?
Wie verhält es sich bei extremen Temperaturen?
Gibt es separate Transistorelemente pro Chip?
Welche Normen und Materialkonformität sind angegeben?
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