Infineon Isoliert OptiMOS™ Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 166-1082
Herst. Teile-Nr.:: BSL316CH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon Isoliert OptiMOS™ Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:: 166-1082
Herst. Teile-Nr.:: BSL316CH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N, Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	TSOP-6
	Serie	OptiMOS™
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	280mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.86V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	2.4nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	500mW
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Länge	2.9mm
	Breite	1.6mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N, Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße TSOP-6
	Serie OptiMOS™
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.86V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.4nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 500mW
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Länge 2.9mm
	Breite 1.6mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q101

Ursprungsland:: MY

Infineon OptiMOSTM Serie MOSFET, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL316CH6327XTSA1

Dieser MOSFET bietet kompakte, oberflächenmontierte Schaltvorgänge für Niederspannungsanwendungen im Automobil- und Industriebereich. Es handelt sich um einen isolierten Zweikanal-Transistor, der für den Betrieb im Enhancement-Modus entwickelt wurde und sowohl N- als auch P-Kanal-Elemente in einem 6-poligen TSOP-Gehäuse bietet. Das Gerät unterstützt das typische Gate-Ladungsverhalten, das für schnelles Schalten geeignet ist, und arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für raue Umgebungen erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Die Ablassspannung von 30 V ermöglicht das Schalten von Niederspannungsanlagen
• 280 mΩ Drain-Source-Widerstand reduziert Leitungsverluste
• 2.4 nC typische Gate-Ladung für effiziente Gate-Ansteuerung
• 1,5 A kontinuierlicher Ablassstrom für mäßige Stromlasten
• 500 mW Verlustleistung verhindern Überhitzung in kompakten Layouts
• Die AEC-Q101-Qualifizierung gewährleistet die Eignung für den Einsatz im Automobilbereich

Anwendungsbereich

• Geeignet für das Schalten von Gleichstromlasten in der Fahrzeugelektronik
• Wird für komplementäre Push-Pull-Treiberstufen verwendet
• Ideal für das SMD-Leistungsmanagement auf Steuerplatinen
• Kann für Batterieschutz und Lasttrennungen verwendet werden
• Geeignet für temperaturempfindliche Automobilmodule

Welche Anzahl von Stiften und welchem Gehäusetyp werden verwendet?

Die Komponente wird in einem 6-poligen TSOP‐6-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für kompakte Baugruppen optimiert ist.

Wie verhält es sich bei verschiedenen Temperaturen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und behält seine Funktionalität unter extremen Umgebungsbedingungen bei.

Ist das Gerät ein- oder mehrelementär?

Die Matrize enthält zwei isolierte Elemente, die sowohl N- als auch P-Kanal-Konfigurationen auf einem einzigen Chip ermöglichen.

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen beachtet werden?

Die Gate-to-Source-Spannung darf 20 V nicht überschreiten, um Schäden an der Gate-Isolierung zu verhindern.