Infineon Isoliert OptiMOS P Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2 A 500 mW, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 165-5552
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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564,00 €
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,188 € | 564,00 € |
| 6000 + | 0,179 € | 537,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-5552
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308PEH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | -0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | -5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 500mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Serie OptiMOS P | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf -0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 500mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS P Serie MOSFET, 30 V Drain-Source-Spannung, 2 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL308PEH6327XTSA1
Merkmale und Vorteile:
• Ausgelegt für eine Ablass-Quellenspannung von 30 V, was den Einsatz eines 30-V-Systems ermöglicht
• Die kontinuierliche Ablassstromkapazität von 2 A unterstützt moderate Lasten
• Typische Gate-Ladung -5 nC bei Vgs für schnelleres Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 500 mW ermöglicht eine zuverlässige Wärmebehandlung
• Qualifiziert nach AEC-Q101 für Belastungsleistung im Automobilbereich
Anwendungsbereich
• Ideal für Lastschaltvorgänge in Batteriemanagementsystemen
• Verwendung mit DC/DC-Wandlern, die P-Kanal-Geräte erfordern
• Kann für Zweikanal-Polaritätsschutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Stromverteiler
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollte ich für einen sicheren Betrieb beachten?
Wie viele Transistoren sind auf dem Chip enthalten, und was ermöglicht dies?
Welchem Umgebungstemperaturbereich kann das Gerät während des Betriebs standhalten?
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Platzierung und Routing der Platine aus?
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