Infineon Doppelt OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 2.3 A 0.6 W, 6-Pin TSOP

RS Best.-Nr.:: 214-4335
Distrelec-Artikelnummer:: 304-39-398
Herst. Teile-Nr.:: BSL308CH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon Doppelt OptiMOS Typ P, Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET-Arrays 30 V Erweiterung / 2.3 A 0.6 W, 6-Pin TSOP

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Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET-Arrays
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	TSOP
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	57mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	-5nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	0.6W
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1mm
	Länge	2.9mm
	Breite	1.6mm
	Normen/Zulassungen	IEC61249-2-21, RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET-Arrays
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße TSOP
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 57mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs -5nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 0.6W
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1mm
	Länge 2.9mm
	Breite 1.6mm
	Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - BSL308CH6327XTSA1

MOSFET-Arrays der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSL308CH6327XTSA1

Dieses MOSFET-Array-Gerät bietet gepaarte P-Kanal- und N-Kanal-Transistoren in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in der Automobil- und Industrieelektronik. Er wird in einem TSOP-6-Pin-Format geliefert, das für die Integration auf Board-Ebene und den Betrieb über einen breiten Umgebungsbereich ausgelegt ist und ein typisches Gate-Ladeverhalten unterstützt, das für schnelle Schaltvorgänge geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• Niedrige Rds(on) von 57 mΩ reduziert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 2,3 A ermöglicht eine moderate Belastbarkeit
• Maximum Vds 30 V unterstützt 30-V-Systemarchitekturen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V schützt die Gate-Integrität bei Transienten
• Die Durchlassspannung von 1,1 V verbessert die Effizienz in Diodenleitpfaden
• Ausgelegt für 150 °C ermöglicht zuverlässigen Betrieb bei hohen Sperrschichttemperaturen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Steuermodule für Karosserien, die die AEC-Konformität erfordern
• Ideal für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern mit hoher Dichte
• Einsatz mit Batteriemanagement-Schaltkreisen in Fahrzeugen und Geräten
• Kann für das Schalten von Motortreibern auf der Low-Side- oder High-Side-Seite verwendet werden
• Geeignet für die kompakte Stromverteilung auf oberflächenmontierten Leiterplatten

Welche Befestigungsart ist für die Leiterplattenmontage erforderlich?

Es handelt sich um ein SMD-Gerät in einem TSOP-6-Pin-Gehäuse, das für das Reflow-Löten an Standard-Leiterplatten-Muster ausgelegt ist.

Wie verhält es sich bei extremen Temperaturen?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis maximal 150 °C ausgelegt, was den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen ermöglicht.

Gibt es separate Transistorelemente pro Chip?

Es gibt ein Element pro Chip, das als Doppeltransistoranordnung konfiguriert ist und sowohl P- als auch N-Kanalfunktionen bietet.

Welche Normen und Materialkonformität sind angegeben?

Die Komponente ist RoHS-konform und wird aus Materialien hergestellt, die der Norm IEC 61249‐2‐21 entsprechen.