- RS Best.-Nr.:
- 214-4335
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
11950 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 50)
0,476 €
(ohne MwSt.)
0,566 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
50 - 50 | 0,476 € | 23,80 € |
100 - 200 | 0,366 € | 18,30 € |
250 - 450 | 0,342 € | 17,10 € |
500 - 1200 | 0,319 € | 15,95 € |
1250 + | 0,295 € | 14,75 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 214-4335
- Herst. Teile-Nr.:
- BSL308CH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Dieser Infineon OptiMOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET - ein n-Kanal- und ein p-Kanal-Leistungs-MOSFET im gleichen Gehäuse - ist eine hocheffiziente Lösung für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), das Netzteil (z. B. Server und Telekommunikation) und den Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug). Es ist Avalanche-bewertet
Es ist zu 100 % bleifrei und RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N, P |
Dauer-Drainstrom max. | 2,3 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | TSOP-6 |
Serie | OptiMOS™ |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,057 Ω |
Gate-Schwellenspannung max. | 2V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Verwandte Produkte
- Infineon OptiMOS™ BSL308CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal, SMD MOSFET 30...
- Vishay SI3993CDV-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,3 A 1,4...
- Infineon OptiMOS™ BSL316CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD...
- Vishay SQ3495EV-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A, 6-Pin TSOP-6
- Vishay TrenchFET SI3421DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A,...
- Vishay SI3457CDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,1 A 3 W, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET IRFTS9342TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,8 A 2...
- Infineon OptiMOS P BSL308PEH6327XTSA1 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30...