Infineon OptiMOS™ IPG20N06S4L26AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 20 A, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 223-8521
Herst. Teile-Nr.:: IPG20N06S4L26AATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ IPG20N06S4L26AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 20 A, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:: 223-8521
Herst. Teile-Nr.:: IPG20N06S4L26AATMA1
Marke:: Infineon

Datasheet - IPG20N06S4L26AATMA1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TDSON
Serie	OptiMOS™
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,026 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.2V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si

Infineon OptiMOS™ IPG20N06S4L26AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 20 A, 8-Pin TDSON

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