Infineon Doppelt OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 20 A 33 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 223-8521
Herst. Teile-Nr.:: IPG20N06S4L26AATMA1
Marke:: Infineon

Infineon Doppelt OptiMOS N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 20 A 33 W, 8-Pin TDSON

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

2.315,00 €

(ohne MwSt.)

2.755,00 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 23. Dezember 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	0,463 €	2.315,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 223-8521
Herst. Teile-Nr.:: IPG20N06S4L26AATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	20A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TDSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	26mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	16V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd	33W
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	1mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	5.9mm
	Länge	5.15mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TDSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 26mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 16V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Verlustleistung Pd 33W
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 1mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 5.9mm
	Länge 5.15mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPG20N06S4L26AATMA1

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 20 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPG20N06S4L26AATMA1

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Dual-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung und -steuerung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er kombiniert niedrige Leitungsverluste mit moderaten Gate-Antriebsanforderungen, um Hochstromanwendungen in Automobil- und Industriesystemen zu unterstützen, bei denen Temperaturtoleranz und kompakte Verpackung wichtig sind.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 60 V ermöglicht Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• 20 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 26 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• 15 nC typische Gate-Ladung minimiert die Gate-Antriebsenergie
• Maximale Verlustleistung von 33 W ermöglicht eine erhebliche Wärmemanagement
• Maximaler Gate-Source-Schutz von 16 V bewahrt die Gate-Integrität

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kfz-Leistungsstufen, die eine AEC-Q101-Qualifikation erfordern
• Wird für DC/DC-Wandler in Fahrzeugsystemen verwendet
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenschaltungen auf kompakten Leiterplatten
• Kann für das Schalten von Hochstromlasten in der industriellen Steuerung verwendet werden
• Einsatz mit Wärmemanagement-Designs für hohe Betriebstemperaturen

Welcher Gehäusetyp wird für die Implementierung von Compact PCB verwendet?

Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage geeignet ist.

Wie gut hält es hohen Umgebungstemperaturen stand?

Das Gerät ist für den Betrieb bis zu einer maximalen Betriebstemperatur von 175 °C ausgelegt.

Welche Schutzgrenzen gibt es für die Gate-Elektrode?

Gate-Ausbrüche sind durch eine maximale Gate-Source-Spannung von 16 V begrenzt.

Wie viele Transistorelemente sind pro Chip vorhanden?

Es gibt zwei Elemente pro Chip in der Dual-Konfiguration.

Welchen Umwelt- oder Materialstandard erfüllt er?

Die Komponente verfügt über eine RoHS-Zulassung für die Konformität mit eingeschränkten Stoffen.