Infineon Isoliert OptiMOS™ Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1.5 A 500 mW, 6-Pin TSOP-6

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110-7129
Distrelec-Artikelnummer:
304-36-975
Herst. Teile-Nr.:
BSL316CH6327XTSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS™

Gehäusegröße

TSOP-6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.86V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

2.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.6 mm

Höhe

1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM-MOSFET mit zweifacher Leistung


MOSFET-Transistoren, Infineon


Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.

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