Infineon OptiMOS™ BSL215CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 (N-Kanal) V, –20 (P-Kanal) V / 1,5 A (N-Kanal),

RS Best.-Nr.:: 110-7726
Herst. Teile-Nr.:: BSL215CH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS™ BSL215CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 (N-Kanal) V, –20 (P-Kanal) V / 1,5 A (N-Kanal),

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RS Best.-Nr.:: 110-7726
Herst. Teile-Nr.:: BSL215CH6327XTSA1
Marke:: Infineon

BSL215C OptiMOS Dual Small Signal MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	1,5 A (N-Kanal), –1,5 A (P-Kanal)
Drain-Source-Spannung max.	20 (N-Kanal) V, –20 (P-Kanal) V
Gehäusegröße	TSOP-6
Serie	OptiMOS™
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	250 mΩ, 280 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	0.6 V, 1.2V
Gate-Schwellenspannung min.	0.7 V, 1.2V
Verlustleistung max.	500 mW
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Breite	1.6mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	0,73 nC @ 4,5 V, 3 nC @ 5 V
Länge	2.9mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.1V
Höhe	1mm

Infineon OptiMOS™ BSL215CH6327XTSA1 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 (N-Kanal) V, –20 (P-Kanal) V / 1,5 A (N-Kanal),

Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET

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