Vishay SISS32LDN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 63 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-103
Herst. Teile-Nr.:
SISS32LDN-T1-BE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SISS32LDN

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0072Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Länge

3.3mm

Breite

3.3 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen IV ist für eine Ablassquelle-Spannung von 80 V ausgelegt. Gepackt in einem kompakten PowerPAK 1212-8S ist er ideal für DC/DC-Wandler, synchrone Gleichrichtung, Motorsteuerung und Batterie-/Lastumschaltung.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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