Vishay SQJQ140ER Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 413 A 214 W, 4-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-124
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ140ER-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 413A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQJQ140ER | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00065Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 288nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Länge | 10.42mm | |
| Breite | 8 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 413A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQJQ140ER | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00065Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 288nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Länge 10.42mm | ||
Breite 8 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay in Kfz-Klasse wurde für das hocheffiziente Schalten in kompakten, leistungsstarken Systemen entwickelt. Er unterstützt bis zu 40 V Ablassquelle-Spannung und liefert eine außergewöhnliche Strombehandlung mit bis zu 413 A bei 175 °C. Er ist in einem dünnen PowerPAK 8x8LR-Gehäuse untergebracht und nutzt die TrenchFET Gen IV-Technologie für extrem niedrige RDS(on) und überlegene thermische Leistung.
AEC Q101 qualifiziert
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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