Vishay SIS4406DN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V / 62.8 A 33.7 W, 8-Pin SIS4406DN-T1-GE3

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RS Best.-Nr.:
653-146
Herst. Teile-Nr.:
SIS4406DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

62.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIS4406DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00475Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

33.7W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.41mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.30 mm

Länge

3.30mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen entwickelt. Er unterstützt bis zu 40 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in PowerPAK 1212-8, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie, um eine niedrige Gate-Ladung (Qg), eine reduzierte Ausgangsladung (Qoss) und eine optimierte Schaltleistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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