Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 21 A 179 W, 3-Pin SIHB155N60EF-GE3 TO-263

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RS Best.-Nr.:
653-175
Herst. Teile-Nr.:
SIHB155N60EF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

EF

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.159Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

179W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.79mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Serie E der 4. Generation von Vishay verfügt über eine schnelle Gehäuse-Diode für verbesserte Schaltleistung. Er bietet eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und ein optimiertes thermisches Verhalten. Er wurde für Server-, Telekommunikations-, SMPS- und Leistungsfaktorkorrektur-Netzteile entwickelt und bietet eine zuverlässige Effizienz in anspruchsvollen Stromversorgungsanwendungen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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