Infineon CoolGaN G5 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 650 V / 30 A, 8-Pin PG-TSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 690-444
- Herst. Teile-Nr.:
- IGL65R110D2XUMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IGL65R110D2XUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-8 | |
| Serie | CoolGaN G5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ISO 128-30 | |
| Breite | 8 mm | |
| Länge | 8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TSON-8 | ||
Serie CoolGaN G5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ISO 128-30 | ||
Breite 8 mm | ||
Länge 8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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