STMicroelectronics STP25 N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 250 V / 56 A 320 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 711-524
- Herst. Teile-Nr.:
- STP25N018M9
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STP25 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10.4 mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STP25 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10.4 mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 15.75mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, geeignet für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr Niedriger RDS(on) pro Bereich. Die M9-Technologie auf Siliziumbasis profitiert von einem Multi-Drain-Fertigungsprozess, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht. Das resultierende Das Produkt verfügt über einen der niedrigeren Einschaltwiderstände und reduzierten Gate-Ladungswerte unter allen siliziumbasierten Hochgeschwindigkeits-Super-Junction-Leistungs-MOSFETs, was es besonders für Anwendungen eignet, die eine überlegene Leistungsdichte und einen hervorragenden Wirkungsgrad erfordern.
Sehr niedriger FOM (RDS(on)·Qg)
Höhere dv/dt-Fähigkeit
Ausgezeichnete Schaltleistung
Leichte Ansteuerung
100 % Avalanche-getestet