STMicroelectronics STP N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 125 W, 2-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
719-650
Herst. Teile-Nr.:
STD70N10F4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0195Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

85nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.4mm

Breite

6.6mm

Länge

6.2mm

Die STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET-Technologie von STMicroelectronics gehört zu den neuesten Verbesserungen, die speziell auf die Minimierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand zugeschnitten wurden, mit einer neuen Gate-Struktur, die eine überlegene Schaltleistung bietet.

Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit

Extrem niedriger Ein-Widerstand RDS(on)

100 % Avalanche-getestet

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