Vishay SQ4917CEY P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / -8 A 6.8 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 735-121
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4917CEY-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SQ4917CEY | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.048Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SQ4917CEY | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.048Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay bietet hohe Leistung in Automobilanwendungen und bietet robuste Dual-P-Kanal-Konfigurationen, die Spannungen bis zu 60 V und Temperaturen bis zu 175 °C bewältigen.
Die TrenchFET-Technologie gewährleistet einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand
Bietet einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von -8 A pro Bein
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