Vishay TrenchFET Zweifach N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 23.5 A 42 W, 8-Pin SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 736-655
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ968EP-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
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- SQJ968EP-T1_BE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8L | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.134Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.13mm | |
| Breite | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8L | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.134Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.13mm | ||
Breite 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.07mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
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