Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 117 A 65 W, 8-Pin Band und Rolle

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RS Best.-Nr.:
762-970
Herst. Teile-Nr.:
IAUZN04S7L025ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

117A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Durchlassspannung Vf

0.95V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

2.29mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

2.29mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der Infineon Automotive MOSFET-Leistungstransistor ist ein N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus, der für Automobilanwendungen entwickelt wurde. Es arbeitet unter Hochtemperaturbedingungen und zeichnet sich durch eine robuste Konstruktion aus. Erweiterte Qualifikation über AEC-Q101 hinaus.

Verbesserte elektrische Prüfung

Robuste Konstruktion

RoHS-Konformität

100 % Avalanche-getestet

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