Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 199 A 94 W, 8-Pin Band und Rolle
- RS Best.-Nr.:
- 762-929
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUZN04S7L012ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 199A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | Band und Rolle | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.25mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 2.29mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 199A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße Band und Rolle | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.25mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 2.29mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Automotive MOSFET-Leistungstransistor ist ein N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus, der für Automobilanwendungen entwickelt wurde. Es arbeitet unter Hochtemperaturbedingungen und zeichnet sich durch eine robuste Konstruktion aus. Erweiterte Qualifikation über AEC-Q101 hinaus.
Verbesserte elektrische Prüfung
Robuste Konstruktion
RoHS-Konformität
100 % Avalanche-getestet
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