Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET 650 V / 64 A 357 W, 4-Pin Band und Rolle
- RS Best.-Nr.:
- 762-940
- Herst. Teile-Nr.:
- IPQC65R040CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
8,94 €
(ohne MwSt.)
10,64 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,94 € |
| 10 - 99 | 6,31 € |
| 100 - 499 | 5,24 € |
| 500 - 749 | 4,68 € |
| 750 + | 4,38 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-940
- Herst. Teile-Nr.:
- IPQC65R040CFD7XTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 64A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | Band und Rolle | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 97nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 357W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 8.2mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 64A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße Band und Rolle | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 97nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 357W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 8.2mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Infineons 650 V CoolMOS CFD7A ist die neueste Generation von marktführenden CoolMOS-Hochspannungs-MOSFETs, die für den Automobilbereich qualifiziert sind. Die neue Serie CoolMOS CFD7A bietet eine integrierte schnelle Body-Diode und kann für PFC- und Resonanzschalttechnologien verwendet werden.
Neueste 650-V-Qualifizierte Technologie für die Automobilindustrie
Hohe Qualität und Zuverlässigkeit
100 % Avalanche-getestet
Geringere Schaltverluste
Verwandte Links
- Infineon CoolSiC N-Kanal 4-Pin Band und Rolle
- Infineon CoolSiC N-Kanal 4-Pin TO-LL
- Infineon CoolSiC N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon CoolSiC N-Kanal 16-Pin PG-HDSOP-16
- Infineon CoolSiC N-Kanal 4-Pin TO-247-4
- Infineon CoolSiC N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin Band und Rolle
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin Band und Rolle