Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 83 W, 8-Pin Band und Rolle
- RS Best.-Nr.:
- 762-969
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUZN04S7N020ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
0,66 €
(ohne MwSt.)
0,79 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 5.000 Einheit(en) mit Versand ab 08. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,66 € |
| 25 - 99 | 0,56 € |
| 100 - 499 | 0,42 € |
| 500 + | 0,34 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 762-969
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUZN04S7N020ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | Band und Rolle | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 2.29mm | |
| Länge | 2.29mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße Band und Rolle | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 2.29mm | ||
Länge 2.29mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Automotive MOSFET-Leistungstransistor ist ein N-Kanal-MOSFET mit Enhancement-Modus, der für Automobilanwendungen entwickelt wurde. Es arbeitet unter Hochtemperaturbedingungen und zeichnet sich durch eine robuste Konstruktion aus. Erweiterte Qualifikation über AEC-Q101 hinaus.
Verbesserte elektrische Prüfung
Robuste Konstruktion
RoHS-Konformität
100 % Avalanche-getestet
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin Band und Rolle
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin Band und Rolle
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin Band und Rolle
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin Band und Rolle
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin Band und Rolle
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin Band und Rolle
- Infineon OptiMOS N-Kanal 8-Pin Band und Rolle
- Infineon CoolSiC N-Kanal 4-Pin Band und Rolle