STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 60 V / 96 A 93 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 800-463
- Herst. Teile-Nr.:
- STL130N6LF7
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 96A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 93W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | ECOPACK | |
| Breite | 5mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 96A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Maximale Verlustleistung Pd 93W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6mm | ||
Normen/Zulassungen ECOPACK | ||
Breite 5mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics nutzt die STripFET F7-Technologie mit einer verbesserten Trunking-Gate-Struktur, die zu einem sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand führt und gleichzeitig die interne Kapazität und die Gate-Ladung reduziert, um eine schnellere und effizientere Schaltung zu ermöglichen.
Zu den niedrigsten RDS(on) am Markt
Ausgezeichnete FoM (Verdienstzahl)
Geringes Crss/Ciss-Verhältnis für EMI-Immunität
Hohe Lawinenbeständigkeit
Logikpegel VGS(th)