STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 650 V / 58 A 321 W,

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

7,66 €

(ohne MwSt.)

9,12 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 300 Einheit(en) mit Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 97,66 €
10 - 497,43 €
50 - 997,20 €
100 +6,20 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
800-466
Herst. Teile-Nr.:
STW65N040M9-4
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

58A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

STH285N10F8-6AG

Gehäusegröße

PG-TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

37mΩ

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Maximale Verlustleistung Pd

321W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.1mm

Normen/Zulassungen

ECOPACK

Länge

15.9mm

Höhe

21.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Bereich geeignet ist.

Sehr niedriger FOM (RDS(on)·Qg)

Höhere dv/dt-Fähigkeit

Ausgezeichnete Schaltleistung

Leichte Ansteuerung

100 % Avalanche-getestet

Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Antriebsstifts