STMicroelectronics STH285N10F8-6AG N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterungsmodus 650 V / 58 A 321 W,
- RS Best.-Nr.:
- 800-466
- Herst. Teile-Nr.:
- STW65N040M9-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
7,66 €
(ohne MwSt.)
9,12 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 300 Einheit(en) mit Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,66 € |
| 10 - 49 | 7,43 € |
| 50 - 99 | 7,20 € |
| 100 + | 6,20 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 800-466
- Herst. Teile-Nr.:
- STW65N040M9-4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 37mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 321W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.1mm | |
| Normen/Zulassungen | ECOPACK | |
| Länge | 15.9mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 37mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 321W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.1mm | ||
Normen/Zulassungen ECOPACK | ||
Länge 15.9mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics basiert auf der innovativsten Super-Junction MDmesh M9-Technologie, die für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs mit sehr niedrigem RDS(on) pro Bereich geeignet ist.
Sehr niedriger FOM (RDS(on)·Qg)
Höhere dv/dt-Fähigkeit
Ausgezeichnete Schaltleistung
Leichte Ansteuerung
100 % Avalanche-getestet
Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Antriebsstifts
