Microchip Power MOS 7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 500 V / 41 A 378 W, 4-Pin SOT

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RS Best.-Nr.:
813-813
Herst. Teile-Nr.:
APT5010JLLU2
Marke:
Microchip
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Marke

Microchip

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

SOT

Serie

Power MOS 7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

100mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

378W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

11.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

38.02mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Das Hochleistungs-MOSFET-Gerät von Microchip wurde für den effizienten Betrieb in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt. Diese Komponente zeichnet sich sowohl bei der Steuerung von Wechsel- als auch Gleichstrommotoren aus und bietet robuste Lösungen für das Energiemanagement.

Die Drain-Source-Durchbruchspannung von 500 V erhöht die Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen

Niedriger ON-Widerstand von 100 mΩ minimiert den Energieverlust und optimiert die Leistung

Entwickelt mit niedriger Gate-Ladung für verbesserte Schalteffizienz

Gebaut mit einem robusten Gehäuse, das die direkte Montage an Kühlkörpern unterstützt

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