- RS Best.-Nr.:
- 249-4129
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC080SMA330B4
- Marke:
- Microchip
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- 249-4129
- Herst. Teile-Nr.:
- MSC080SMA330B4
- Marke:
- Microchip
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Microship steigert die Leistung gegenüber Silizium-MOSFET- und Silizium-IGBT-Lösungen und senkt gleichzeitig die Gesamtbetriebskosten für Hochspannungsanwendungen. Der Baustein ist ein 3300-V-SiC-MOSFET mit 80 mΩ in einem TO-247-Gehäuse mit 4 Anschlüssen und Source-Sense. Er verfügt über niedrige Kapazitäten und eine geringe Gate-Ladung sowie eine hohe Schaltgeschwindigkeit aufgrund des geringen internen Gate-Widerstands (ESR). Er ermöglicht einen stabilen Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur, TJ(max) von 150 °C. Er ist eine schnelle und zuverlässige Body-Diode mit überlegener Avalanche-Robustheit.
Hoher Wirkungsgrad für leichtere, kompaktere Systeme
Einfache Ansteuerung und einfache Parallelschaltung
Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste
Einfache Ansteuerung und einfache Parallelschaltung
Verbesserte thermische Eigenschaften und geringere Schaltverluste
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 41 A |
Drain-Source-Spannung max. | 3300 V |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
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