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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Microchip
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	5 A
	Drain-Source-Spannung max.	1700 V
	Gehäusegröße	TO-247-4
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	4
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Transistor-Werkstoff	SiC

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	Marke Microchip
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 5 A
	Drain-Source-Spannung max. 1700 V
	Gehäusegröße TO-247-4
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 4
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Transistor-Werkstoff SiC

Datasheet - MSC750SMA170B4

Die Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Produktlinie von Micro semi erhöht die Leistung gegenüber Silizium-MOSFETs und Silizium-IGBT-Lösungen bei gleichzeitiger Senkung der Gesamtkosten für Hochspannungsanwendungen.

Niedrige Kapazitäten und geringe Gate-Ladung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit durch niedrigen internen Gate-Widerstand
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrtemperatur TJ(max.) von 175 °C
chnell und zuverlässige Gehäusediode
Überlegene Avalanche-Robustheit,
RoHS-konform

Microchip N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 5 A, 4-Pin TO-247-4

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