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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Wolfspeed
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	63 A
	Drain-Source-Spannung max.	900 V
	Gehäusegröße	TO-247-4
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand max.	30 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	3.5V
	Gate-Schwellenspannung min.	1.7V
	Verlustleistung max.	149 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	-8 V, 19 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	5.21mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Transistor-Werkstoff	SiC
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	87 nC @ 4/15 V
	Länge	16.13mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C
	Höhe	23.6mm

	Alle auswählen
	Marke Wolfspeed
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 63 A
	Drain-Source-Spannung max. 900 V
	Gehäusegröße TO-247-4
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand max. 30 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 3.5V
	Gate-Schwellenspannung min. 1.7V
	Verlustleistung max. 149 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. -8 V, 19 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 5.21mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Transistor-Werkstoff SiC
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 87 nC @ 4/15 V
	Länge 16.13mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C
	Höhe 23.6mm

Ursprungsland:: CN

Mindestens 900 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben

Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 63 A 149 W, 4-Pin TO-247-4

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