Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 63 A 149 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 192-3372
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0030090K
- Marke:
- Wolfspeed
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 63 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 30 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.7V | |
| Verlustleistung max. | 149 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -8 V, 19 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Länge | 16.13mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 87 nC @ 4/15 V | |
| Breite | 5.21mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 23.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 63 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 900 V | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 30 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.7V | ||
Verlustleistung max. 149 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -8 V, 19 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Länge 16.13mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 87 nC @ 4/15 V | ||
Breite 5.21mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 23.6mm | ||
Mindestens 900 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben