Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 63 A 149 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 192-3372
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0030090K
- Marke:
- Wolfspeed
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- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 63 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 30 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.7V | |
| Verlustleistung max. | 149 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -8 V, 19 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 5.21mm | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Länge | 16.13mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 87 nC @ 4/15 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 23.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 63 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 900 V | ||
Gehäusegröße TO-247-4 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 30 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.7V | ||
Verlustleistung max. 149 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -8 V, 19 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 5.21mm | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Länge 16.13mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 87 nC @ 4/15 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 23.6mm | ||
Mindestens 900 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben