Mindestens 900 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle >8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein) Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr) Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben