Wolfspeed C3M0075120K N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 30 A 113,6 W, 4-Pin TO-247-4
- RS Best.-Nr.:
- 192-3519
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120K
- Marke:
- Wolfspeed
24 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück
18,63 €
(ohne MwSt.)
22,17 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück |
---|---|
1 + | 18,63 € |
- RS Best.-Nr.:
- 192-3519
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120K
- Marke:
- Wolfspeed
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Wolfspeed erweitert seine Führungsposition in der SiC-Technologie durch die Einführung Advanced SiC MOSFET-Technologie in neuer diskreter Verpackung mit niedriger Induktivität. Die neu eingeführten Gehäuse ermöglichen es Ingenieuren, die Hochfrequenzfähigkeit der neuesten planaren C3MTM-MOSFET-Chips voll zu nutzen. Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von siliziumbasierten, dreistufigen Topologien zu einfacheren zweistufigen Topologien wechseln, die durch die verbesserte Schaltleistung möglich sind. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit einer geringen Gate-Ladung und ist daher ideal für dreiphasige, brückenlose PFC-Topologien sowie AC/AC-Wandler und -Ladegeräte geeignet.
Mindestens 1200 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle
>8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
Gehäusegröße | TO-247-4 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.6V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V |
Verlustleistung max. | 113,6 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -8 V, 19 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Länge | 16.13mm |
Breite | 5.21mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 53 nC @ 4/15 V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 23.6mm |
Verwandte Produkte
- Wolfspeed C3M0075120K N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 30 A 113,6 W,...
- Wolfspeed C3M0075120D N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 30 A 113,6 W,...
- Wolfspeed C3M0075120J N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 30 A 113,6 W,...
- Wolfspeed C3M0032120K N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 63 A 283 W,...
- Wolfspeed C3M0016120K N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 115 A 556 W,...
- Wolfspeed C3M0040120K N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 66 A, 4-Pin TO 247
- Wolfspeed C3M0021120K N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 100 A, 4-Pin TO 247
- Wolfspeed C2M0040120D N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 60 A 330 W, 3-Pin TO-247