Wolfspeed C3M0075120D N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 30 A 113,6 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 192-3523
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120D
- Marke:
- Wolfspeed
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 18,25 € |
| 10 - 19 | 16,61 € |
| 20 + | 15,20 € |
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- 192-3523
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0075120D
- Marke:
- Wolfspeed
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Wolfspeed erweitert seine Führungsposition in der SiC-Technologie durch die Einführung der Advanced SiC MOSFET-Technologie. Entwickler können die Anzahl der Komponenten reduzieren, indem sie von siliziumbasierten, dreistufigen Topologien zu einfacheren zweistufigen Topologien wechseln, die durch die verbesserte Schaltleistung möglich sind. Dieses Gerät verfügt über einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit einer geringen Gate-Ladung und ist daher ideal für dreiphasige, brückenlose PFC-Topologien sowie Wechselrichter- und Ladeanwendungen geeignet. Laden Sie unsere LSpice-Modelle herunter, um get started zu werden, oder klicken Sie hier, um weitere Informationen zu erhalten.
Mindestens 1200 V VBR über den gesamten Betriebstemperaturbereich
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität
Hohe Sperrspannung mit niedrigem RDS (ein)
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtswiederherstellung (Qrr)
Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 75 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.7V |
| Verlustleistung max. | 113,6 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -8 V, 19 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 54 nC @ 4/15 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5.21mm |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Länge | 16.13mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Höhe | 21.1mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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