Wolfspeed C3M0280090D N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 11,5 A 54 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 162-9714
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0280090D
- Marke:
- Wolfspeed
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 30)
4,271 €
(ohne MwSt.)
5,082 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
---|---|---|
30 - 120 | 4,271 € | 128,13 € |
150 - 270 | 4,16 € | 124,80 € |
300 + | 4,057 € | 121,71 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 162-9714
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0280090D
- Marke:
- Wolfspeed
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Latch-Up-resistenter Betrieb
Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
Latch-Up-resistenter Betrieb
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 11,5 A |
Drain-Source-Spannung max. | 900 V |
Gehäusegröße | TO-247 |
Montage-Typ | THT |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 360 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.8V |
Verlustleistung max. | 54 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | –8 V, +18 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Breite | 21.1mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9,5 nC @ 15 V |
Länge | 16.13mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Transistor-Werkstoff | SiC |
Höhe | 5.21mm |
Diodendurchschlagsspannung | 4.8V |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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