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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	70 A
	Drain-Source-Spannung max.	650 V
	Gehäusegröße	TO-247-4
	Montage-Typ	THT
	Pinanzahl	4
	Drain-Source-Widerstand max.	39 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	5.6V
	Gate-Schwellenspannung min.	2.7V
	Verlustleistung max.	262 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	22 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	104 nC @ 18 V
	Transistor-Werkstoff	SiC

	Alle auswählen
	Marke ROHM
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 70 A
	Drain-Source-Spannung max. 650 V
	Gehäusegröße TO-247-4
	Montage-Typ THT
	Pinanzahl 4
	Drain-Source-Widerstand max. 39 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 5.6V
	Gate-Schwellenspannung min. 2.7V
	Verlustleistung max. 262 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. 22 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 104 nC @ 18 V
	Transistor-Werkstoff SiC

Datasheet SCT3030ARC14

SCT3030AR ist ein SiC MOSFET mit Trenchgate-Struktur, ideal für Servernetzteile, Solarwechselrichter und Ladestationen für Elektrofahrzeuge. Ein 4-poliges Gehäuse, das die Terminal für Stromquelle und Terminal für Treiberquelle trennt, verbessert die Hochgeschwindigkeitsschaltleistung.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Schnelle Rückwärtswiederherstellung

Einfach zu parallel

Einfach anzutreiben

Bleifreie Leitungsbeschichtung

Hocheffizientes 4-poliges Gehäuse

Evaluierungsplatine "P02SCT3040KR-EVK-001"

Anwendung

Solarwechselrichter

DC/DC-Wandler

Getaktete Netzteile

Induktionsheizung

Motorantriebe

ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 70 A 262 W, 4-Pin TO-247-4

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