ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 46 A 694 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 150-1528P
- Herst. Teile-Nr.:
- R6046FNZ1C9
- Marke:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 2 Stück (geliefert in Stange)*
19,06 €
(ohne MwSt.)
22,68 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 2 - 4 | 9,53 € |
| 5 - 9 | 9,28 € |
| 10 - 49 | 9,04 € |
| 50 + | 8,81 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 150-1528P
- Herst. Teile-Nr.:
- R6046FNZ1C9
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 46 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 160 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 694 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| Breite | 5.21mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Höhe | 21.34mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 46 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 160 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 694 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 16.13mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 150 nC @ 10 V | ||
Breite 5.21mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Höhe 21.34mm | ||
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandSchnelle SchaltgeschwindigkeitGate-Source-Spannung (VGSS) garantiert ±30 VEinfache Antriebskreise möglichParallele Nutzung ist einfachBleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform