Microchip MSC025SMA330B4 N-Kanal, THT MOSFET 3300 V / 104 A TO-247

Der MOSFET-SiC-3300 V von Microchip ist Teil der neuesten Familie von SiC-MOSFET-Bausteinen. Die SiC-Lösungen von Microchip konzentrieren sich auf hohe Leistung und tragen dazu bei, die Systemeffizienz zu maximieren und das Gewicht und die Größe des Systems zu minimieren. Die bewährte SiC-Zuverlässigkeit von Microchip sorgt außerdem dafür, dass die Leistung während der gesamten Lebensdauer des Endgeräts nicht nachlässt. Dieser Baustein ist eine schnelle und zuverlässige Body-Diode mit überlegener Avalanche-Robustheit.

Geringe Kapazitäten und niedrige Gate-Ladung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit aufgrund des geringen inneren Durchgangswiderstands (ESR)
Stabiler Betrieb bei hoher Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius