STMicroelectronics STL059N N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 420 A 187 W, 8-Pin PowerFLAT

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RS Best.-Nr.:
820-272
Herst. Teile-Nr.:
STL059N4S8AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

420A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Serie

STL059N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.85mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

275nC

Maximale Verlustleistung Pd

187W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6.1mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Der 40-V-N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde in Smart STripFET F8 entwickelt, der neuen dedizierten STripFET F8-basierten Technologie für Stromverteilungsanwendungen mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur.

AEC-Q101 qualifiziert

Klasse MSL1

Betriebstemperatur: 175 °C

100 % Avalanche-getestet

Belüftbares Flankengehäuse

Extrem niedriger RDS(on)

Logischer Pegel

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