STMicroelectronics STL059N N-Kanal, SMD MOSFET 40 V Erweiterung / 420 A 187 W, 8-Pin PowerFLAT
- RS Best.-Nr.:
- 820-272
- Herst. Teile-Nr.:
- STL059N4S8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
1,64 €
(ohne MwSt.)
1,95 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,64 € |
| 10 - 24 | 1,45 € |
| 25 - 99 | 1,30 € |
| 100 - 499 | 1,12 € |
| 500 + | 0,94 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 820-272
- Herst. Teile-Nr.:
- STL059N4S8AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 420A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | STL059N | |
| Gehäusegröße | PowerFLAT | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.85mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 275nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 187W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 5.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 420A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie STL059N | ||
Gehäusegröße PowerFLAT | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.85mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 275nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 187W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 5.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der 40-V-N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde in Smart STripFET F8 entwickelt, der neuen dedizierten STripFET F8-basierten Technologie für Stromverteilungsanwendungen mit einer verbesserten Trench-Gate-Struktur.
AEC-Q101 qualifiziert
Klasse MSL1
Betriebstemperatur: 175 °C
100 % Avalanche-getestet
Belüftbares Flankengehäuse
Extrem niedriger RDS(on)
Logischer Pegel