Vishay SiSS N-Kanal, SMD MOSFET N 80 V / 50.3 A 65.7 W, 8-Pin 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 878-901
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS32ADN-T1-UE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SiSS | |
| Gehäusegröße | 1212-8S | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0087Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.7W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.83mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SiSS | ||
Gehäusegröße 1212-8S | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0087Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.7W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.83mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der Halbleiter von Vishay ist ein robuster N-Kanal-MOSFET, der für ein effizientes Energiemanagement entwickelt wurde und sich durch einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine verbesserte thermische Leistung für anspruchsvolle Betriebsumgebungen auszeichnet.
TrenchFET Gen IV-Technologie bietet überlegene Effizienz
Sehr niedriger RDS(on) reduziert den Leistungsverlust während des Betriebs
Gate-Source-Schwellenspannung garantiert zuverlässiges Schalten
Breiter Temperaturbereich gewährleistet den Betrieb unter verschiedenen Bedingungen
Das Gehäusedesign ermöglicht eine vereinfachte Integration in Schaltungslayouts
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