Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3 A 1,65 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
103-8317
Herst. Teile-Nr.:
BSP250,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

3 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

250 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.8V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

1,65 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

3.7mm

Länge

6.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1.7mm

Betriebstemperatur min.

–65 °C

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-MOSFET, Nexperia



MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors

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