DiodesZetex Isoliert Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 580 mA 980 mW, 6-Pin SM

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RS Best.-Nr.:
122-3250
Herst. Teile-Nr.:
DMN601DMK-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

580mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

980mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

304nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0

Länge

3.1mm

Höhe

1.3mm

Breite

1.7 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Ursprungsland:
CN

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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