DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

8,64 €

(ohne MwSt.)

10,28 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 860 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 101,728 €8,64 €
15 - 451,544 €7,72 €
50 - 2451,37 €6,85 €
250 - 4951,184 €5,92 €
500 +1,028 €5,14 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
823-1877
Herst. Teile-Nr.:
ZXMHC3A01T8TA
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

330mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.9nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Durchlassspannung Vf

0.95V

Transistor-Konfiguration

Vollbrücke

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

Höhe

1.6mm

Breite

3.7 mm

Länge

6.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Automobilstandard

Nein

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links