DiodesZetex N/P-Kanal Quad, SMD MOSFET 30 V / 1,8 A; 3,1 A 1,7 W, 8-Pin SM

RS Best.-Nr.:: 823-1877
Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC3A01T8TA
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex N/P-Kanal Quad, SMD MOSFET 30 V / 1,8 A; 3,1 A 1,7 W, 8-Pin SM

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RS Best.-Nr.:: 823-1877
Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC3A01T8TA
Marke:: DiodesZetex

Complementary 30v Enhancement Mode Mosfet H-Bridge Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	1,8 A; 3,1 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SM
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	180 mΩ, 330 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Verlustleistung max.	1,7 W
Transistor-Konfiguration	Vollbrücke
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3,9 nC @ 10 V, 5,2 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	6.7mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	3.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip	4
Höhe	1.6mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

DiodesZetex N/P-Kanal Quad, SMD MOSFET 30 V / 1,8 A; 3,1 A 1,7 W, 8-Pin SM

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MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.

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