DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 8-Pin

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

10,80 €

(ohne MwSt.)

12,85 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 860 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 102,16 €10,80 €
15 - 451,93 €9,65 €
50 - 2451,712 €8,56 €
250 - 4951,48 €7,40 €
500 +1,286 €6,43 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
823-1877
Herst. Teile-Nr.:
ZXMHC3A01T8TA
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

330mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.95V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.9nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Vollbrücke

Höhe

1.6mm

Breite

3.7 mm

Länge

6.7mm

Normen/Zulassungen

MIL-STD-202, UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Automobilstandard

Nein

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


Verwandte Links