DiodesZetex Vollbrücke Typ N, Typ P-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 1.8 A 1.36 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
751-5348
Herst. Teile-Nr.:
ZXMHC6A07N8TC
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

350mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.36W

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Vollbrücke

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202

Breite

4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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