DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7.8 A 1.5 W, 8-Pin SOIC

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823-3211
Herst. Teile-Nr.:
DMHC3025LSD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Vollbrücke

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Breite

3.95 mm

Länge

4.95mm

Normen/Zulassungen

UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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