DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 4.98 A 1.35 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
751-5344
Herst. Teile-Nr.:
ZXMHC3F381N8TC
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.98A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.82V

Maximale Verlustleistung Pd

1.35W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Vollbrücke

Höhe

1.5mm

Breite

4mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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