DiodesZetex ZXMHC6A07N8TC N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 60 V / 1,4 A; 1,8 A 1,36 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 169-0719
Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC6A07N8TC
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex ZXMHC6A07N8TC N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 60 V / 1,4 A; 1,8 A 1,36 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 169-0719
Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC6A07N8TC
Marke:: DiodesZetex

60V SO8 Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	1,4 A; 1,8 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	350 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Verlustleistung max.	1,36 W
Transistor-Konfiguration	Vollbrücke
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	4
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3,2 nC @ 10 V, 5,1 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.5mm

DiodesZetex ZXMHC6A07N8TC N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 60 V / 1,4 A; 1,8 A 1,36 W, 8-Pin SOIC

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.

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