DiodesZetex ZXMHC3F381N8TC N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 30 V / 4,1 A; 4,98 A 1,35 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 122-1424
Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC3F381N8TC
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex ZXMHC3F381N8TC N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 30 V / 4,1 A; 4,98 A 1,35 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 122-1424
Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC3F381N8TC
Marke:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	4,1 A; 4,98 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	60 mΩ, 80 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Verlustleistung max.	1,35 W
Transistor-Konfiguration	Vollbrücke
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	9 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	4
Höhe	1.5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

DiodesZetex ZXMHC3F381N8TC N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 30 V / 4,1 A; 4,98 A 1,35 W, 8-Pin SOIC

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.

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