DiodesZetex N/P-Kanal Quad, SMD MOSFET 100 V / 1 A, 850 mA 1,36 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 751-5332
Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC10A07N8TC
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex N/P-Kanal Quad, SMD MOSFET 100 V / 1 A, 850 mA 1,36 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:: ZXMHC10A07N8TC
Marke:: DiodesZetex

100V SO8 Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	1 A, 850 mA
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	1,45 Ω, 900 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	1,36 W
Transistor-Konfiguration	Vollbrücke
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	4
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	2,9 nC @ 10 V, 3,5 nC @ 50 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.5mm

DiodesZetex N/P-Kanal Quad, SMD MOSFET 100 V / 1 A, 850 mA 1,36 W, 8-Pin SOIC

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MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.

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