DiodesZetex Vollbrücke Typ P, Typ N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 850 mA 1.36 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
122-1421
Herst. Teile-Nr.:
ZXMHC10A07N8TC
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

850mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.45mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.36W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.9nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Durchlassspannung Vf

0.95V

Transistor-Konfiguration

Vollbrücke

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

4

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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