onsemi BS170 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 124-1745
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Marke:
- onsemi
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- BS170
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BS170 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830mW | |
| Durchlassspannung Vf | 600mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.19mm | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BS170 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830mW | ||
Durchlassspannung Vf 600mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.19mm | ||
Höhe 5.33mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.