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    onsemi UniFET FDA50N50 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 48 A 625 W, 3-Pin TO-3PN

    Nicht mehr im Sortiment
    RS Best.-Nr.:
    124-1746
    Herst. Teile-Nr.:
    FDA50N50
    Marke:
    onsemi

    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.48 A
    Drain-Source-Spannung max.500 V
    GehäusegrößeTO-3PN
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.105 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung min.3V
    Verlustleistung max.625 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Gate-Ladung typ. @ Vgs105 nC @ 10 V
    Breite4.8mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Transistor-WerkstoffSi
    Länge15.6mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    SerieUniFET
    Höhe19.9mm

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