onsemi UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 400 V / 23 A 235 W, 3-Pin FDA24N40F TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 903-4134
- Herst. Teile-Nr.:
- FDA24N40F
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
16,81 €
(ohne MwSt.)
20,005 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Begrenzter Lagerbestand
- Zusätzlich 5 Einheit(en) mit Versand ab 08. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | 3,362 € | 16,81 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 903-4134
- Herst. Teile-Nr.:
- FDA24N40F
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | UniFET | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 235W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5 mm | |
| Länge | 16.2mm | |
| Höhe | 20.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie UniFET | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 235W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5 mm | ||
Länge 16.2mm | ||
Höhe 20.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.
UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-3PN
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin FDA69N25 TO-3PN
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin FDB33N25TM TO-263
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin FDP33N25 JEDEC TO-220AB
- onsemi UniFET N-Kanal 2-Pin TO-3PN
